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无线电电子学论文_SIP外壳内受X射线激发的电磁
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摘要：文章目录 1 Introduction 2 Theory and calculation method 2.1 Photoelectron yield of different materials 2.2 Radiation source for EMI environment 3 Computation result 3.1 Photoelectron yield 3.2 Sampling point and sampling surface 3.3 EMI
文章目录
1 Introduction
2 Theory and calculation method
2.1 Photoelectron yield of different materials
2.2 Radiation source for EMI environment
3 Computation result
3.1 Photoelectron yield
3.2 Sampling point and sampling surface
3.3 EMI environment in shell of SIP
3.4 Influence of X-ray fluence
3.5 Influence of SIP size
4 Conclusion
文章摘要:本文估算了系统级封装（SIP）外壳内,受脉冲X射线辐照产生的电磁干扰（EMI）环境。首先通过蒙特卡罗数值方法计算了可伐合金及印制电路板（PCB）表面受X射线辐照激发电子的产额和能谱,并基于该计算结果开展了电子自洽运动的数值模拟。利用时域有限差分法（FDTD）和粒子模拟技术（PIC）对电子产生电磁场的过程进行了仿真。计算结果表明,电子的运动使得电子发射面附近的EMI环境最强。此外,从频谱可看出,电磁干扰主要集中在低频部分,且频率取决于X射线的时间参数。通过减小SIP外壳的受辐照面积及高度可降低外壳内的EMI环境强度。
文章关键词:
论文分类号:TN03
文章来源：《辐射研究与辐射工艺学报》 网址: http://www.fsyjyfsgyxb.cn/qikandaodu/2021/1116/1209.html